ค่ายชิปประกาศเดินหน้าใช้เทคโนโลยี High NA EUV ของ ASML

ASML ผู้ผลิตเครื่อง EUV รายเดียวของโลก ระบุว่า Samsung จะเริ่มใช้เครื่อง High NA EUV สำหรับ volume manufacturing ภายในปี 2028 ขณะที่ TSMC ตั้งเป้ารุกใช้งานจริงตั้งแต่ปี 2030 ตามรายงานของ Bloomberg

เทคโนโลยี High NA EUV (high numerical aperture extreme ultraviolet) เป็นระดับบนสุดของการผลิตชิปที่ช่วยให้กระบวนการสั้นลง ผลิตได้เร็วขึ้น และเพิ่ม yield โดยการลดจำนวนขั้นตอนการยิงลายบนเวเฟอร์ ซึ่งส่งผลให้ความหนาแน่นของทรานซิสเตอร์บนเวเฟอร์สูงขึ้น

การเปลี่ยนจาก 6-inch เป็น 12-inch photomasks

ASML ระบุว่าจะร่วมกับ Samsung, TSMC, Nvidia และ Apple ในการเปลี่ยนจาก 6-inch photomask ไปสู่ 12-inch photomasks ถึงแม้ตอนนี้มีประกาศเป็นทางการจาก ASML สำหรับ Samsung, TSMC และ Nvidia เท่านั้น การใช้ photomask ขนาด 12-inch ทำให้แต่ละครั้งของการยิงครอบคลุมพื้นที่เวเฟอร์มากขึ้น ลดจำนวนการยิงที่ต้องประกอบกัน ส่งผลให้ต้นทุนต่อชิ้นต่ำลงและประสิทธิภาพการผลิตสูงขึ้น

“We expect the adoption of High NA EUV to increase progressively along the device scaling roadmap, first using current 6-inch masks and then further supported by 12-inch masks, which enable greater scanner productivity and allow the industry to meet the demand for smaller, faster and more energy-efficient chips.” — Christophe Fouquet, CEO ASML

โรดแมปและผลต่ออุตสาหกรรม

ASML วางแผนสร้างสายการผลิตนำร่องสำหรับ 12-inch mask ภายในปี 2031 และมุ่งสู่การนำ 12-inch High-NA lithography เข้าสู่การผลิตในโหนดขั้นสูงภายในปี 2033 ซึ่งหมายความว่าเป้าหมายการผลิตโดยใช้ 12-inch photomasks คาดว่าจะเกิดขึ้นจริงภายในปี 2033

ก่อนถึงจุดนั้น ผู้เล่นรายใหญ่หลายรายจะเริ่มเข้าสู่ช่วงการผลิตด้วย High NA EUV อย่างเต็มตัวในอีก 2–3 ปีข้างหน้า ขณะที่บางรายยังคงใช้ Low NA EUV หรือเทคโนโลยี DUV อยู่

แรงผลักจากความต้องการ AI และหน่วยความจำ

การประกาศครั้งนี้สะท้อนความมั่นใจของอุตสาหกรรมชิป ท่ามกลางความต้องการหน่วยความจำและโปรเซสเซอร์ตอบโจทย์งาน AI และเซิร์ฟเวอร์ที่เพิ่มขึ้น โดยนักวิเคราะห์คาดว่าความต้องการหน่วยความจำอาจเกินอุปทานต่อเนื่องหลังปี 2030 แม้ตลาด CPU ฝั่งลูกค้าจะไม่เติบโตเท่า

สรุปสั้น

• Samsung ตั้งเป้าใช้ High NA EUV ในการผลิตมวลปี 2028
• TSMC วางแผนเริ่มใช้งานจริงตั้งแต่ปี 2030
• ASML ผลักดันไปสู่ 12-inch photomasks และตั้งเป้าสายผลิตนำร่อง 2031, ผลิตจริงด้วย 12-inch High-NA ภายใน 2033
• เทคโนโลยีนี้ช่วยเพิ่มความเร็ว, yield และลดต้นทุนต่อชิ้น โดยตอบโจทย์ความต้องการจาก AI และศูนย์ข้อมูล